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3通道CVD设备

3通道CVD设备

Model:KJ-T1600 -3M

Introduction:此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

Introduction

此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

Features

  • 刚玉材质炉管
  • 控温精度可达±1℃
  • 触屏操作简单快捷

炉管采用刚玉材质,工作温度可达1500度,具有高温稳定性和耐腐蚀性,加热均匀性好

控温系统采用PID方式调节,可以设置30段升降温程序,控温精度可以达到±1℃

采用触屏操作系统,数据可存储可通过EXCEL输出

Specifications

技术参数

产品名称 3通道CVD设备
型号 KJ-T1600 -3M
管式炉部分 显示 液晶触摸屏
最高温度 1600℃
工作温度 ≤1500℃
升温速率 建议0~10℃/min
温区 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
加热元件 硅钼棒
热电偶 B型
温度控制精度 ±1℃
炉管尺寸 外径80mm*长度1000mm(其他尺寸可根据客户需求定制)
材质:刚玉
塞砖 包括两个纤维陶瓷块,用于阻挡来自管内的热辐射(陶瓷块必须在加热前完全插入炉腔)
温度控制 PID自动控制
真空法兰 带阀门的不锈钢真空法兰
质量流量计
(液晶触摸屏)
三台精密质量流量计: MFC 1:气体流量范围0~100 sccm MFC 2:气体流量范围0~200 sccm MFC 3:气体流量范围0~200 sccm (气体流量范围可根据您的要求) 底壳安装1个气体混合罐,底壳左侧安装3个不锈钢针阀,手动控制3种气体混合
 
更多参数可按需定制

Configurable Options

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